Матрица диодная Y27.340.010 ТУ
Матрицы диодные Y27.340.010 ТУ применяются для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества. Устройства выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. В зависимости от количества задействованных диодов обеспечивается биполярная защита изделий микроэлектроники с напряжением питания 0,5 - 6 В. Электрическое соединение МИС с элементами сборочных единиц осуществляется через контактные площадки путем термокомпрессии или импульсной сварки. Основные преимущества: низкие шумы, высокое быстродействие, широкий диапазон рабочих температур.
рис. 1 - Схема диодной матрицы
|
Падение напряжения при токе в прямом направлении 1 мА,В |
0,5-1,0 |
|
Дифференциальное сопротивление в интервале тока в прямом направлении (5-10) мА, Ом |
7-15 |
|
Максимально допустимый ток в прямом направлении, мА |
50 |
|
Диапазон рабочих температур, °С |
-255...+85 |
|
Габаритные размеры и схема соединения 12 диодов, мм |
1,5x1,0x0,1 |
